Q-value                                                         ＞2.4×10⁶
Inclusions                                                    Ⅰgrade, Ⅰa grade
Etch-channel density                                    ＜200/cm²
Density                                                         2.65g/cm³
Melting point                                                 1713℃
Mohs hardness                                              7
Young’s modulus                                        97.2Gpa (∥Z), 76.5GPa (⊥Z)

Transmission range:                        200 nm ~ 2300 nm

Thermal expansion coefficient:              7.07 x 10-6/k

1、技术要求：

1.    1晶片直径：   Φ50.8±0.5mm  Φ76.2±0.5mm

1.2晶片厚度：(1)0.35±0.05mm  (2) 0.40±0.05mm 

1.3晶片弯曲度：≤ 30um
1.4晶片锥度：≤ 10um
1.5晶片轴向：要求的轴向±0.20
1.6.1基准长度：22±2mm
1.6.2第二基准长度： 10±2mm   

1.    7晶片表面抛光质量：
1.7.1晶片表面： 20/10 S/D
1.7.2晶片背面： GC1200#砂研磨。

1.7.3晶片倒角：保护性倒角。
1.8 籽晶：晶片中心6.5mm范围内无要求

2.    规格：

  34Y   36Y 42Y

3.包装：

洁净包装，每盒25片。

1. Quartz Wafer Requirements：
1.1 Diameter：(1)Φ76.2±0.5mm     

1.2  Thickness：(1)0.35±0.05mm  (2) 0.40±0.05mm  (3)0.50±0.05mm

1.3  Bow：≤ 30um

1.4  Taper：≤ 10um

1.5  Orientation：To be as requested ±0.20 ,unless specified.

1.6  Identification flat position and length is to be as follows：

Primary Flat Length：22±2mm    

1.6.3 Secondary Flat Length：10±3mm  .

1.7  Surface Polish Quality：

1.7.1 Surface Polish ：10/5 S/D

1.7.2 Backside Polish：Lapped with GC1200

1.7.3 Edge Chips：Protective Bevel

1.8  Seed Location：To be within the center 6.5mm of the wafer or not required.

1.9  Q Factor：≥ 2 million min.  

2. Individual wafer Orientation ＂Special＂Requirement：

360Y-cut  340Y-cut   42.75Y-cut         

3.Package：

Wafers are packaged in plastic containers(25 wafer each)